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BCX 69-16 E6327详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP AF 20V SOT-89; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，1V; 功率_最大：3W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：剪切带 (CT)

BCX 69-16 E6327详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP AF 20V SOT-89; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，1V; 功率_最大：3W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：带卷 (TR)

BCX 69-16 E6327详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP AF 20V SOT-89; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，1V; 功率_最大：3W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：Digi-Reel®

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C0603C330G5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 33PF 50V 2% NP0 0603
B82469G1223M
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C0402C0G1C8R2B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
C0402C333K8PACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.033UF 10V 10% X5R 0402
BCX 55-16 E6327
晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-243AA TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-89
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晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
B82469G1391M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER .39UH 2.8A SMD
C0402C333K8PACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.033UF 10V 10% X5R 0402
C0402C0G1C8R2B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
BC183_D26Z
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
B82469G1682M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH .90A SMD
C0603C330J5GAC7411
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0603
BCX 69-25 E6327
晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-243AA TRANSISTOR PNP AF 20V SOT-89